Mengirim pesan
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Produk
Rumah /

Produk

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor

Rincian produk

Tempat asal: Cina

Nama merek: VBE

Sertifikasi: ISO

Nomor model: VBE36015E2

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 1pcs

Kemasan rincian: kemasan netral

Waktu pengiriman: 5-8 hari kerja

Menyediakan kemampuan: 10K

Dapatkan Harga Terbaik
Hubungi Sekarang
Spesifikasi
Cahaya Tinggi:

transistor rf daya tinggi

,

transistor penguat daya rf

,

Transistor Daya RF Pita Lebar

Kondisi:
Merek Baru dan Asli
Kondisi:
Merek Baru dan Asli
Keterangan
Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 0

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 1

 

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 2

 

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 3

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 4

 

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 5

 

 

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor 6

 

 

 

 

Kirim pertanyaan Anda
Silakan kirimkan permintaan Anda dan kami akan menjawab secepat mungkin.
Kirim