Mengirim pesan
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com 86-755-86239323
Rumah
Produk

Jammer Sinyal Ponsel

Wifi Signal Jammer

Jammer Sinyal Genggam

Konvoi Bom Jammers

Penjara Ponsel Penjara

Jammer Sinyal Daya Tinggi

Jammer Sinyal Portabel

gps sinyal jammer

Anti Drone Jammers

Detektor Drone

Intersepsi Ponsel

Modul Penguat Daya RF

Cell Phone Signal Repeater

Penguat Sinyal Seluler

Detektor Sinyal RF

Transistor daya RF

Komponen Pasif RF

Antena RF
Tentang kami
Profil Perusahaan
Tur Pabrik
Kontrol kualitas
Hubungi kami
Berita
Belanja
indonesian
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
kutipan
Rumah
Produk
Jammer Sinyal Ponsel
Wifi Signal Jammer
Jammer Sinyal Genggam
Konvoi Bom Jammers
Penjara Ponsel Penjara
Jammer Sinyal Daya Tinggi
Jammer Sinyal Portabel
gps sinyal jammer
Anti Drone Jammers
Detektor Drone
Intersepsi Ponsel
Modul Penguat Daya RF
Cell Phone Signal Repeater
Penguat Sinyal Seluler
Detektor Sinyal RF
Transistor daya RF
Komponen Pasif RF
Antena RF
Tentang kami
Profil Perusahaan
Tur Pabrik
Kontrol kualitas
Hubungi kami
Berita
Berita
Kasus-kasus
Belanja
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Produk
Rumah /

Produk

700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu

700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu

Rincian produk

Tempat asal: Cina

Nama merek: VBE

Sertifikasi: ISO

Nomor model: VBE09260B2

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 1pcs

Kemasan rincian: kemasan netral

Waktu pengiriman: 5-8 hari kerja

Menyediakan kemampuan: 10K

Dapatkan Harga Terbaik
Hubungi Sekarang

Spesifikasi

Keterangan
Spesifikasi
Cahaya Tinggi:

transistor daya tinggi

,

transistor daya frekuensi tinggi

Kondisi:
Baru dan Asli
Kondisi:
Baru dan Asli
Keterangan
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu

Tags:

transistor rf daya tinggi,

rf power amplifier transistor,

transistor daya frekuensi tinggi

Produk serupa
Lebar Pita Daya Transistor RF Daya Tahan Lama Untuk 6GHz 25W Gallium Nitride 28 Volt

Lebar Pita Daya Transistor RF Daya Tahan Lama Untuk 6GHz 25W Gallium Nitride 28 Volt

Dapatkan Harga Terbaik
Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor

Wide Band 700-3600MHz 20W RF Power Transistor LDMOS FETs 28V Broad-Band LDMOS RF Transistor, High Power RF Transistor

Dapatkan Harga Terbaik
Stabilitas Theramal Yang Sangat Baik Rf Power Amplifier Transistor LDMOS FET 28V Tahan Lama

Stabilitas Theramal Yang Sangat Baik Rf Power Amplifier Transistor LDMOS FET 28V Tahan Lama

Dapatkan Harga Terbaik
Material Padat Kecepatan Tinggi RF Power Transistor Wide Band DC Ke 3GHz 120W

Material Padat Kecepatan Tinggi RF Power Transistor Wide Band DC Ke 3GHz 120W

Dapatkan Harga Terbaik
700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu

700-1000MHz LDMOS FETs RF High Power Transistor 28V 260W Dengan Perlindungan ESD Terpadu

Dapatkan Harga Terbaik
Wide Band HF Ke 1GHz 55W RF Power Transistor LDMOS FET 28V RoHs Compliant

Wide Band HF Ke 1GHz 55W RF Power Transistor LDMOS FET 28V RoHs Compliant

Dapatkan Harga Terbaik
Gallium Nitride 28V RF Power Transistor Wide Band 700 Sampai 5000MHz 25W Umur Panjang

Gallium Nitride 28V RF Power Transistor Wide Band 700 Sampai 5000MHz 25W Umur Panjang

Dapatkan Harga Terbaik
DC Ke 8GHz 6W Rf Transistor Amplifier Gallium Nitride 28V Kondisi Baru Asli

DC Ke 8GHz 6W Rf Transistor Amplifier Gallium Nitride 28V Kondisi Baru Asli

Dapatkan Harga Terbaik
Persetujuan ISO Pita Lebar Frekuensi Daya Lebar 700 hingga 6000MHz 15 Watt

Persetujuan ISO Pita Lebar Frekuensi Daya Lebar 700 hingga 6000MHz 15 Watt

Dapatkan Harga Terbaik
Kirim pertanyaan Anda
Silakan kirimkan permintaan Anda dan kami akan menjawab secepat mungkin.
Kirim
Tentang
Profil Perusahaan
Tur Pabrik
Kontrol kualitas
Hubungi kami
Sitemap
Kebijakan pribadi
Produk

Jammer Sinyal Ponsel

Wifi Signal Jammer

Jammer Sinyal Genggam

Konvoi Bom Jammers

Penjara Ponsel Penjara

Jammer Sinyal Daya Tinggi

Hubungi kami
VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
vbe003@vbejammer.com
86-755-86239323
Lantai 4, Gedung 8, Zona Industri Xinwei, Distrik Nanshan, Shenzhen, Provinsi Guangdong, Cina
Cina Kualitas Baik Jammer Sinyal Ponsel Pemasok.Hak Cipta © 2024 VBE Technology Shenzhen Co., Ltd. . Semua HakDisimpan.